GaN微波器件芯片经理， GaN微波器件工艺经理 GaNマイクロ波デバイス開発マネージャー、プロセス開発マネージャー
岗位要求：
1. Education /学历： 微电子及相关专业本科或者硕士以上学历，具有 3 年以上的半导体器件研发经验，有GaN射频器件工作经验。
マイクロエレクトロニクス、もしくはそれに関連した学科を卒業した大学卒、もしくは修士以上の学歴の方。半導体デバイス開発の経験が3 年以上あること。GaNマイクロ波デバイスに関する仕事経験があること。
2. Process /材料与工艺
很熟悉半导体材料、光刻、金属化和 CVD 等制造工艺。有设计器件制造步骤的经验。有GaN外延片结构设计能力较好。
半導体材料やリソグラフィ、メタルプロセスや CVD などの製造プロセスを良く理解しており、デバイスプロセスの設計経験がある方。GaNエピタキシャル層設計などの基礎的な知識がある方は尚可。
3. Device /器件
很熟悉半导体器件物理，最好有扎实的射频器件物理基础。
半導体デバイス物理を良く理解していること。マイクロ波パワーアンプに関する物理基礎がある方は尚可。
4. Measurement /测试
很熟悉器件分析上所需要的测试仪，比如半导体参数分析仪，电容测试仪，脉冲 IV 测试仪等。最好有射频性能测试仪，比如网络分析仪(Network Analyzer)、射频负载牵引测试仪(RF load pull measurement)。
半導体パラメータアナライザーやキャパシタ容量測定機、パルス
IV 測定機などのデバイス評価設備に詳しいこと。ネットワークアナライザーやロードプル装置などのマイクロ波性能評価設備の知識がある方は尚可。
5. CAD test pattern layout /CAD 测试图形布局
熟悉版图设计工具，比如Cadence 公司的virtuoso 软件。
Cadence 社の virtuoso といった CAD ソフトを用いて、デバイス評価に必要なテストパターンなどを作製した経験があること。
6. Failure analysis /失效分析
很熟悉器件失效分析手段，比如 SEM、TEM、EDX 等。有一定的可靠性物理，可靠性试验和分析技术的基础。
SEM、TEM、EDX といった不良解析手法に詳しいこと。また、デバイス信頼性物理、信頼性評価手法、データ解析に関するある程度の知識や経験があると尚可。
7. Foreign language/语言
具有良好的听说读写英文的能力。
読み書きだけでなく、英語による簡単なコミュニケーションができること。
8. Personal character / 个人性格
学习能力强，能在压力环境下完成挑战性的工作。具有团队精神。
岗位职责:
按照客户要求开发GaN微波芯片外延结构和芯片制造工艺，对GaN微波器件进行失效分析，帮助GaN产品量产化。
お客様の要求を理解して、GaNエピタキシャル構造やスループロセスの開発、及び製品化に必要な信頼性解析や信頼性改善も担当していただきます。また、新製品の量産移管にも参与していただきます。
