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仕事内容

GaN微波器件芯片经理, GaN微波器件工艺经理 GaNマイクロ波デバイス開発マネージャー、プロセス開発マネージャー

岗位要求:

1. Education /学历: 微电子及相关专业本科或者硕士以上学历,具有 3 年以上的半导体器件研发经验,有GaN射频器件工作经验。

マイクロエレクトロニクス、もしくはそれに関連した学科を卒業した大学卒、もしくは修士以上の学歴の方。半導体デバイス開発の経験が3 年以上あること。GaNマイクロ波デバイスに関する仕事経験があること。

2. Process /材料与工艺

很熟悉半导体材料、光刻、金属化和 CVD 等制造工艺。有设计器件制造步骤的经验。有GaN外延片结构设计能力较好。

半導体材料やリソグラフィ、メタルプロセスや CVD などの製造プロセスを良く理解しており、デバイスプロセスの設計経験がある方。GaNエピタキシャル層設計などの基礎的な知識がある方は尚可。

3. Device /器件

很熟悉半导体器件物理,最好有扎实的射频器件物理基础。

半導体デバイス物理を良く理解していること。マイクロ波パワーアンプに関する物理基礎がある方は尚可。

4. Measurement /测试

很熟悉器件分析上所需要的测试仪,比如半导体参数分析仪,电容测试仪,脉冲 IV 测试仪等。最好有射频性能测试仪,比如网络分析仪(Network Analyzer)、射频负载牵引测试仪(RF load pull measurement)。

半導体パラメータアナライザーやキャパシタ容量測定機、パルス

IV 測定機などのデバイス評価設備に詳しいこと。ネットワークアナライザーやロードプル装置などのマイクロ波性能評価設備の知識がある方は尚可。

5. CAD test pattern layout /CAD 测试图形布局

熟悉版图设计工具,比如Cadence 公司的virtuoso 软件。

Cadence 社の virtuoso といった CAD ソフトを用いて、デバイス評価に必要なテストパターンなどを作製した経験があること。

6. Failure analysis /失效分析

很熟悉器件失效分析手段,比如 SEM、TEM、EDX 等。有一定的可靠性物理,可靠性试验和分析技术的基础。

SEM、TEM、EDX といった不良解析手法に詳しいこと。また、デバイス信頼性物理、信頼性評価手法、データ解析に関するある程度の知識や経験があると尚可。

7. Foreign language/语言

具有良好的听说读写英文的能力。

読み書きだけでなく、英語による簡単なコミュニケーションができること。

8. Personal character / 个人性格

学习能力强,能在压力环境下完成挑战性的工作。具有团队精神。

岗位职责:

按照客户要求开发GaN微波芯片外延结构和芯片制造工艺,对GaN微波器件进行失效分析,帮助GaN产品量产化。

お客様の要求を理解して、GaNエピタキシャル構造やスループロセスの開発、及び製品化に必要な信頼性解析や信頼性改善も担当していただきます。また、新製品の量産移管にも参与していただきます。

勤務地 シンチョウ忻府区忻州市
給与 45K-60K
語学力 を問わず
学歴 大学
仕事内容

会社名:A社

設立日: 2018年05月31日

登録住所: 山西省忻州市

業務内容と製品について

弊社は、6インチGaAs化合物半導体ICウェハーの専業ファウンドリー会社として設立され、6インチIC製造ラインを新規に建設しています。化合物半導体の研究開発及び製造に関して経験豊富な日中チームを有し、世界最高水準のRFマイクロ波及びミリ波用GaAs ICプロセスを提供します。GaAs ICプロセスの主なアプリケーションとしては、スマートフォン、タブレット、ドローン、WIFIなどに搭載されるRFパワーアンプ、低雑音アンプ、RFスイッチなどがあります。


岗位要求:

1.Education /学历

微电子及相关专业本科或者硕士以上学历,具有 3 年以上的半导体器件研发经验,有化合物半导体射频器件工作经验优先。

マイクロエレクトロニクス、もしくはそれに関連した学科を卒業した大学卒、もしくは修士以上の学歴の方。半導体デバイス開発の経験が3 年以上あること。化合物半導体マイクロ波デバイスの経験を有する方は優先的に採用。

2. Process /材料与工艺

很熟悉半导体材料、光刻、金属化和 CVD 等制造工艺。有设计器件制造步骤的经验。有化合物半导体外延的基础较好。

半導体材料やリソグラフィ、メタルプロセスや CVD などの製造プロセスを良く理解しており、デバイスプロセスの設計経験がある方。化合物半導体エピタキシャルウェハやエピタキシャル層設計などの基礎的な知識がある方は尚可。

3. Device /器件

很熟悉半导体器件物理,最好有扎实的射频放大器物理基础。

半導体デバイス物理を良く理解していること。マイクロ波パワーアンプに関する物理基礎がある方は尚可。

4. Measurement /测试

很熟悉器件分析上所需要的测试仪,比如半导体参数分析仪,电容测试仪,脉冲 IV 测试仪等。最好有射频性能测试仪,比如网络分析仪(Network Analyzer)、射频负载牵引测试仪(RF load pull measurement)。

半導体パラメータアナライザーやキャパシタ容量測定機、パルスIV 測定機などのデバイス評価設備に詳しいこと。ネットワークアナライザーやロードプル装置などのマイクロ波性能評価設備の知識がある方は尚可。

5. CAD test pattern layout /CAD 测试图形布局

熟悉版图设计工具,比如Cadence 公司的virtuoso 软件。

Cadence 社の virtuoso といった CAD ソフトを用いて、デバイス評価に必要なテストパターンなどを作製した経験があること。

6. Failure analysis /失效分析

很熟悉器件失效分析手段,比如 SEM、TEM、EDX 等。有一定的可靠性物理,可靠性试验和分析技术的基础。

SEM、TEM、EDX といった不良解析手法に詳しいこと。また、デバイス信頼性物理、信頼性評価手法、データ解析に関するある程度の知識や経験があること。

7. Foreign language/语言

具有良好的听说读写英文的能力。

読み書きだけでなく、英語による簡単なコミュニケーションができること。

8. Personal character / 个人性格

学习能力强,能在压力环境下完成挑战性的工作。具有团队精神。


岗位职责:

按照客户要求来半导体芯片结构和制造工艺步骤研发,失效分析,帮助新产品量产化。

お客様の要求を理解して、半導体デバイス構造やスループロセス開発を担当していただきます。また製品化に必要な信頼性解析や信頼性改善も担当していただきます。新製品の量産移管にも参与していただきます。

勤務地 シンチョウ忻府区山西省忻州市
給与 45K-60K
語学力 を問わず
学歴 専門学校・短大
仕事内容

職種名:技術マネージャー候補(日本人)


仕事内容:

1)日本本部(営業?技術)をメインとした各グローバル拠点とのやり取り。

2)各拠点からの依頼対応。

3)試作依頼や製品問合せ対応。

4)各拠点との日程調整等。


応募資格:

1)国籍:日本人

2)年齢:35歳前後

3)性別:男女問わず(男性の方がいいと考えています。)

4)電子部品の技術?設計業務に携わったことのある方、優遇。

5)Excel、Word、メールソフト、パワーポイントなどが熟練。

6)長く安定して働いてくれる方。


その他:入社後は、製品の基本設計を学びながら業務の進め方、やり方を習得して頂き、後々は技術マネージャーになって頂きたい。

勤務地 深セン宝安区沙井街道壆岗大壆工业区环镇路6号
給与 20K-23K
語学力 中国語 日本語 /N1
学歴 専門学校・短大